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- - 0,5 GB DDR 266 MHz
- - 200-pin SO-DIMM
- - Latenza CAS: 2.5
- - 2.5 V
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Descrizione breve Transcend 512MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR512) memoria 0,5 GB DDR 266 MHz:
Questa descrizione breve del Transcend 512MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR512) memoria 0,5 GB DDR 266 MHz è generata automaticamente e utilizza il titolo del prodotto e le prime sei specifiche principali.
Transcend 512MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR512), 0,5 GB, DDR, 266 MHz, 200-pin SO-DIMM
Descrizione estesa Transcend 512MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR512) memoria 0,5 GB DDR 266 MHz:
Questa descrizione generata automaticamente del Transcend 512MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR512) memoria 0,5 GB DDR 266 MHz si basa sulle prime tre caratteristiche dei primi cinque gruppi di specifiche.
Transcend 512MB MEMORY MODULE FOR SONY NOTEBOOK. (PCGE-MMDDR512). RAM installata: 0,5 GB, Tipo di RAM: DDR, Velocità memoria: 266 MHz, Fattore di forma memoria: 200-pin SO-DIMM, Latenza CAS: 2.5